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一种根据193i光刻机的5nm FinFET工艺光刻计划——从鳍片到M1层的技能途径与要害应战
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谱析光晶取得根据FinFET技能的MOSFET优化结构及其制备办法专利
广立微取得用于FinFET工艺监测Fin距离飘移电学测验结构和办法专利
音讯称iPhone 20将迎大变革:选用“四边曲折”线nm FinFET OLED驱动芯片......
阿托梅拉取得包含源极和漏极区域与掺杂剂分散阻挠超晶格层以减小触摸电阻的FINFET和相关办法专利
上海华力集成电路制作有限公司取得 FinFET 中单分散区堵截结构的制作办法专利
复旦微电:新一代1xnm FinFET先进制程FPGA产品完结样片测验并进入小批量客户验证
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智芯微电子请求根据金属栅极颗粒度的FinFET器材专利,得到更精确的仿真计算结果
恩智浦发布全球首款16nm FinFET MRAM车规级MCU,三季度开端出样
杭州广立微电子取得用于FinFET工艺中检测边际鳍形变的测验结构及办法专利
广立微取得发明专利授权:“用于FinFET工艺中检测边际鳍形变的测验结构及办法”
汤谷软件请求 FinFET 工艺标准单元布线操控办法及相关设备专利,完结布线操控
复旦微电:新一代根据1xnm FinFET先进制程的FPGA产品完结样片测验并开端小批量出售
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